Исследование воздействия электронного облучения на напряжение пробоя биполярных транзисторов

Abstract

Приводятся результаты исследования воздействия электронного облучения в диапазоне флюенсов 1·1014 –2·1015 см–2 и температур эксплуатации в диапазоне 120–420 К на напряжение пробоя комплиментарных n-p-n- и p-n-p-транзисторов при разных токах насыщения коллектора в схеме с общим эмиттером. Также методом спектроскопии DLTS определены электронные характеристики радиационно-индуцированных центров (РИЦ), вводимых облучением быстрыми электронами в коллекторную и эмиттерную области кремниевых n-p-n-транзисторов.

The results of the study of the influence of electron irradiation in the fluence range of 1·1014 –2·1015 cm−2 and operating temperatures in the range of 120–420 K on the breakdown voltage of complementary n-p-n- and p-n-p-transistors at different collector saturation cur rents in a circuit with a common emitter are presented. Additionally, the electronic characteristics of radiation-induced centers (RIC) introduced by fast electron irradiation into the collector and base regions of silicon n-p-n-transistors were determined by DLTS spectroscopy.