Кинетика инжекционного отжига междоузельных атомов кремния в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами
Kinetics of injection annealing of interstitial silicon atoms in the p-region of silicon n+-p-structures irradiated with alpha particles
| dc.contributor.author | Жданович, Д. Н. | |
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Фадеева, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Огородникова, Д. А. | |
| dc.date.accessioned | 2025-04-02T12:23:31Z | |
| dc.date.available | 2025-04-02T12:23:31Z | |
| dc.date.issued | 2024 | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bsmu.by/handle/BSMU/48079 | |
| dc.description | Кинетика инжекционного отжига междоузельных атомов кремния в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами / Д. Н. Жданович, И. Ф. Медведева, Е. А. Фадеева, Д. А. Огородников // Медэлектроника–2024. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сб. науч. ст. XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, Респ. Беларусь, 5–6 дек. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Белорус. гос. мед. ун-т. – Минск, 2024. – С. 124–127. – URL: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58996. | ru_RU |
| dc.description.abstract | Аннотация. Изучена кинетика инжекционного отжига собственных междоузельных атомов кремния в двукратно положительном зарядовом состоянии в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами. Показано, что зависимости концентрации дефектов от прошедшего через n+-p-структуру электрического заряда Q имеют нелинейный характер. | ru_RU |
| dc.description.abstract | Abstract. The kinetics of injection annealing of intrinsic interstitial silicon atoms in a doubly positive charge state in the p-region of silicon n+-p-structures irradiated with alpha particles was studied. It was shown that the dependences of the defect concentration on the electric charge Q passed through the n+-p-structure are nonlinear. | |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.title | Кинетика инжекционного отжига междоузельных атомов кремния в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами | ru_RU |
| dc.title | Kinetics of injection annealing of interstitial silicon atoms in the p-region of silicon n+-p-structures irradiated with alpha particles | |
| dc.type | Article | ru_RU |
