Влияние инжекции электронов на профиль распределения дырок в р-базе кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами

Abstract

Изучена кинетика инжекционного отжига собственных междоузельных атомов кремния в двукратно положительном зарядовом состоянии в р-области кремниевых n+-p-структур, облученных альфа-частицами. Показано, что зависимости концентрации дефектов от прошедшего через n+-p-структуру электрического заряда Q имеют нелинейный характер.

The kinetics of injection annealing of intrinsic interstitial silicon atoms in a doubly positive charge state in the p-region of silicon n+-p-structures irradiated with alpha particles was studied. It was shown that the dependences of the defect concentration on the electric charge Q passed through the n+-p-structure are nonlinear.