Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами
Influence of the electric field on the rate of removal of charge carriers in silicon-germanium alloys p-type under irradiation with alpha particles
Abstract
Аннотация. Показано, что при облучении альфа частицами обратно-смещенных диодных структур на основе кристаллов р-SiGe скорость удаления основных носителей заряда значительно снижена в области пространственного заряда (ОПЗ) диодов по сравнению с квазинейтральной областью. Наблюдаемый эффект связан с инжекционно-ускоренной миграцией собственных межузельных атомов кремния и их взаимодействием с другими дефектами решетки в ОПЗ диодов во время облучения. Abstract. It is found that the removal rate of majority charge carriers is significantly reduced in depleted regions of reverse-biased SiGe-based n+-p diodes compared to that in the neutral regions upon irradiation with alfa particles. The observed effect is related to injection-enhanced mobility of Si self-interstitial atoms and their interactions with other lattice defects in the depleted regions of the diodes during irradiation.
Description
Влияние электрического поля на скорость удаления носителей заряда в кремний-германиевых сплавах р-типа при облучении альфа-частицами / Д. Н. Жданович, Д. А. Огородников, И. Ф. Медведева [и др.] // Медэлектроника–2022. Средства медицинской электроники и новые медицинские технологии : сб. науч. ст. XIII Междунар. науч.-техн. конф., Минск, Респ. Беларусь, 8–9 дек. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т информатики и радиоэлектроники, Белорус. мед. акад. последиплом. образования. – Минск, 2022. – С. 194–198. – URL: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49645.
