Дефекты с глубокими уровнями в кристаллах кремния, легированных галлием

Abstract

Емкостная спектроскопия глубоких уровней использовалась для исследования электрически активных дефектов в кристаллах кремния, выращенных как путем вытягиванием из расплава по методу Чохральского (Cz-Si), так и посредством зонной плавки (FZ-Si), и легированных галлием (Ga) в процессах роста. Дефекты с глубокими уровнями, вызывающие остаточную фотопроводимость при комнатной температуре, были обнаружены как в кристаллах Cz-Si:Ga, так и в кристаллах FZ-Si:Ga. Проведены измерения температурных зависимостей скоростей эмиссии дырок, равновесного заполнения, и кинетики захвата дырок для обнаруженных ловушек. Определены электронные характеристики центров и построены их координатно-конфигурационные диаграммы. Обсуждаются атомные модели дефектов, ответственных за обнаруженные глубокие уровни в кристаллах Si:Ga.