| dc.contributor.author | Маркевич, В. П. | |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Жданович, Д. Н. | |
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2025-12-24T07:57:03Z | |
| dc.date.available | 2025-12-24T07:57:03Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.uri | https://rep.bsmu.by/handle/BSMU/55768 | |
| dc.description | Дефекты с глубокими уровнями в кристаллах кремния, легированных галлием / В. П. Маркевич, С. Б. Ластовский, Д. Н. Жданович, И. Ф. Медведева // Актуальные проблемы физики твердого тела : сб. докл. XI Междунар. науч. конф., Минск, 19–23 мая 2025 г. / ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению» ; редкол.: В. М. Федосюк (пред.) [и др.]. – Минск, 2025. – С. 74–77. | ru_RU |
| dc.description.abstract | Емкостная спектроскопия глубоких уровней использовалась для исследования электрически активных дефектов в кристаллах кремния, выращенных как путем вытягиванием из расплава по методу Чохральского (Cz-Si), так и посредством зонной плавки (FZ-Si), и легированных галлием (Ga) в процессах роста. Дефекты с глубокими уровнями, вызывающие остаточную фотопроводимость при комнатной температуре, были обнаружены как в кристаллах Cz-Si:Ga, так и в кристаллах FZ-Si:Ga. Проведены измерения температурных зависимостей скоростей эмиссии дырок, равновесного заполнения, и кинетики захвата дырок для обнаруженных ловушек. Определены электронные характеристики центров и построены их координатно-конфигурационные диаграммы. Обсуждаются атомные модели дефектов, ответственных за обнаруженные глубокие уровни в кристаллах Si:Ga. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.title | Дефекты с глубокими уровнями в кристаллах кремния, легированных галлием | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
